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非破壞性方式在晶片或器件內進行成像
WDI設計并制造了自動紅外激光共聚焦顯微鏡 (IRLC)。
IRLC可以對硅晶片的表面之下和內部進行檢查, 使其內部結構以亞微米分辨率呈現。
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激光共聚焦顯微鏡多層檢測
由近紅外激光和掃描共聚焦組合而成的IRLC有著諸多優勢。首先便是具備了對薄晶片的多層高分辨率圖像的采集能力；同時，IRLC具備更深的樣品穿透能力、更高的分辨率和更快的圖像采集速度；
近紅外優化光路
系統包含了全套Olympus近紅外長工作距離物鏡。這組物鏡專為硅晶圓的內部結構檢測而設計，采用優化的近紅外光學系統，并配備專用的校正環以適應不同后面的硅片或玻璃表面。
一鍵雙視野
IRLC包含一組可見光彩色成像系統和一組近紅外共聚焦系統。這種搭配可對樣品表面和底層（*深達800μm）同時成像。
由于采用了ATF6/0AA/ZAA技術（即實時快速自動聚焦技術），IRLC實現了真正意義上的實時聚焦-不管觀察方式和樣品表面狀況如何變化，視野內持續聚焦狀態。
簡潔的軟件界面
功能完善、操作簡單，直觀的軟件界面設計旨在提高工作效率，簡化檢測流程?；静倏毓δ馨▽φ彰?、放大倍率、XYZ控制以及對焦補償的參數調整。 載物臺移動可通過軟件操控、手柄操控、或者簡單地點擊實時畫面來完成。
高 級功能
線性XY “pointto point” 和 “pointto multipoint” 測量及高 級圖像采集選項可實現均幀、AveragedImage、Z軸序列采集、以及在兩點間圖像序列采集。
自動檢測
集成了全電動控制和自動聚焦的IRLC，配合全自動軟件可實現全自動檢測流程，并可在同**程內對多個樣品進行檢測。
CIS（CMOS成像芯片）
很多CIS模塊已經在像素上方加裝了保護面板和彩色濾光片，給檢測帶來很多困難。使用IRLC即可輕松看到表面之下的結構特征。
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5X BF (Front)
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5X IRLC (Front)
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20X IRLC (Front)
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50X IRLC (Front)
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100X IRLC (Front)
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高摻雜半導體
從正面穿透金屬基板觀察是不可能實現的；使用IRLC從背面穿透300μm高摻雜硅可清晰觀察到該區域下的內部結構。
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10XBF (Front)
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20XIRLC (Back)
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50XIRLC (Back)
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100XIRLC (Back)
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低摻雜半導體
使用IRLC從背面穿透800μm低摻雜硅，刻蝕圖案清晰可見。
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5X BF (Front)
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20XIRLC (Back)
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50X IRLC (Back)
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100X RLC (Back)
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MEMS器件
僅使用明場觀察，表面細節清晰可見；使用IRLC，表面之下的MEMs結構清晰可見。
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5X BF (Front)
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5X IRLC (Front)
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10XIRLC (Front)
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20XIRLC (Front)
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